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[8] |
シリコン微細深溝エッチング技術の開発 |
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(大阪府立大学/川田博昭・平井義彦)
((独)産業技術総合研究所関西センター/西井準治・金高健二)
(大阪科学技術センター/豊田宏) |
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研究の目的と特徴 |
ナノ構造を利用した光学素子(ナノ構造光素子)を効率よく安価に供給するにはモールドを用いたナノインプリント技術が有効である。モールドは作製したい構造と同じ寸法のものが必要となる。このため、ナノ構造光素子のモールドとして使用できる構造を作製するには次のような加工条件を満足する必要がある。 |
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1) |
0.2μm以下の微細パターンの加工ができる。 |
2) |
アスペクト比(パターン幅とパターン深さの比)が10以上である。 |
3) |
パターン側面が平滑である。 |
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本研究では、シリコンにこのようなモールドをつくるための深溝エッチング技術を開発した。 |
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成 果 |
【ULVAC製 誘導結合型プラズマ(ICP)エッチング装置】 |
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● |
SF6+O2プラズマによるエッチングプロセス |
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の繰り返し (ボッシュライクプロセス) |
● |
C4F8プラズマによるサイド保護膜形成の堆積プロセス |
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最適化条件(O2を多くしてサイドエッチング低減): |
SF6/O2流量 |
: |
20/30sccm、 |
圧力 |
: |
1Pa、10秒 |
C4F8流量 |
: |
20sccm、 |
圧力 |
: |
1.5Pa、12〜14秒 |
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0.1μmL&S(繰返し回数15回) |
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0.2μmL&S(繰返し回数30回) |
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エッチング条件: |
Ar/SF6/O2流量 |
: |
90/35/30sccm、 |
圧力 |
: |
13Pa |
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